10月9日消息，据韩国媒体报道称，韩国已经确认，美国政府已做出最终决定，在无需单独批准的情况下，三星电子和SK海力士可以向中国工厂供应美国半导体设备。

目前，该协议已经立即生效。

据悉，无限期豁免将通过更新 Validated End-User（VEU）清单来取得。只要被纳入这份清单，就无需另外取得单独许可，代表美国出口管制的适用性实际上是被永久暂停。

对于这个情况，有相关业内人士表示，此举势必会让三星和SK海力士加大产能，而为了重新抢夺市场，双方可能会进一步在中国市场开打价格战。

抢占市场的同时，提价也成为国际存储品牌的选择。

据韩媒报道，日前多位消息人士透露，三星内部认为目前NAND Flash供应价格过低，公司计划今年四季度起，调涨NAND Flash产品的合约价格，涨幅在10%以上；预计最快本月新合约便将采用新价格。

今年以来，三星一直奉行减产战略，1月、4月已连续宣布调整晶圆投入。最初的减产举措主要集中在DRAM领域，之后下半年三星开始着手大幅削减NAND Flash业务产量，眼下正试图推动NAND价格正常化。

如今DRAM已出现价格反弹，而NAND产品仍存突破空间。三星目标是扩大减产规模，降低供应量，再提高产品价格来寻求反转，其期望明年第二季实现NAND盈亏平衡点。

SK证券研究员Han Dong-hee认为，三星的第二波减产计划和获利优先政策有望带动存储芯片价格反弹。

值得一提的是，三星9月已与客户（包括小米、OPPO及谷歌）签署了内存芯片供应协议，DRAM和NAND闪存芯片价格较之前合同价格上调10%-20％。三星电子预计，从第四季度起存储芯片市场或将供不应求。

另外，原厂近期已通知下游厂商，Q4将调涨合约价。不同产品涨幅不同，但涨幅几乎都在双位数水平，其中NAND Flash Q4合约价有望涨一至两成，DRAM则约涨一成。

10月初，威刚董事长陈立白表示，存储芯片产业苦熬两年，黑暗将过，2024年下半年更可能出现短缺。他认为，由于三大存储芯片巨头积极减产，效益开始显现，NAND及DRAM近期现货价皆从低谷处呈现双位数反弹。

目前业内买卖双方正在洽谈合约价，陈立白估计，DRAM及NAND Flash第四季度合约价将上涨10%-15%，三星甚至计划调涨20%，仍待观察成交价。

从行业供给端来看，中信证券预计，2023年行业供给增速将低于需求增速，供需将逐步达到平衡，有助于库存修复，看好存储板块周期2023年下半年见底。需求端而言，目前终端厂商已处于去库存的后期，全年出货有望呈现前低后高，看好2023年下半年至2024年下游需求回暖趋势。

面对来势汹汹的国际品牌，国内存储厂商做好准备了吗？