由英特尔和镁光联合推出的3D XPoint技术在2016年大出风头，先是年初英特尔展示了采用该技术的存储产品，然后在4月初，英特尔又宣布斥资35亿元在中国生产产品。当然最吸引大家关注的是3D XPoint存储产品出色的性能：速度比目前的NAND快1000倍，而储存密度则是DRAM的10倍。那么3D XPoint究竟是何方神圣，它是如何实现如此优异的性能的呢？

3DXPoint的原理

       3DXPoint是一种新型非易失性存储技术，可用于NAND和DRAM，其是由多层线路构成的三维结构。可能有人会说这不就是英特尔版的3D V NAND。尽管3D层叠技术是3DXPoint的一大亮点，但是3D XPoint不仅仅是将存储单元层叠起来这么简单，其在基本工作原理上与传统的NAND有着极大的区别。

       传统NAND，采用的是电容储存原理，依靠的是浮动栅级上的绝缘层形成一个等效电容，依靠控制这个等效电容上是否储存有电量，就可以判断出这一单元存储的是1或者0，这就达到了存储数据的目的。而3DXPoint则采用了全新的储存原理，其存储单元是一种很特殊的电阻材料，这种电阻材料有非常神奇的特性：即施加不同的电压，其内部材料的形态会产生巨大的变化，从而使电阻阻值产生极大的变化，当电压撤消后，其阻值依旧会保持。打个比方，当在存储电阻上加载正电压时，电阻会呈现低电阻状态，而施加负电压时，内部材料变化，从而形成高阻抗区，让电阻阻值急剧升高，变成高阻值状态，这样，依靠施加电压的改变，就可以让存储单元在高低阻值间切换，就可以让每一个存储单元表征出1或0，就达到了存储数据的目的。

图：传统NAND闪存依靠电容原理来存储数据。

图：3DXPoint的可变电阻阻抗转换原理