性能只是小幅提升

        从理论上看，3D V-NAND绝缘层的改进和接触面积的增加，都令存储间的干扰降低，这样，存储结构更加稳定，编程时间就可缩短，从而提升SSD性能。

三星850EVO（左）在性能上并未与840EVO（右）拉开明显差距

        从实测来看，相对于840系列而言，850PRO和850EVO虽然有所提升，但其提升幅度相当有限。为什么会这样呢？其实原因很简单，SSD的性能不止取决于芯片的性能，从测试中就可以看出，读写速度主要受限于SATA3.0那600MB/S的理论读写速度，而4k性能，主要瓶颈在于主控的处理速度。换而言之，在SSD普遍采用多通道技术，缓存提高性能时，闪存并不是现有的SATA端口的SSD硬盘提升新浪的主要瓶颈，在这种情况下，仅仅依靠3D V-NAND芯片的改进，不可能让SSD性能大幅度提升。

总结：新技术发挥威力，还需要时间

        从850系列SSD的表现来看，3DV-NAND技术表现出了一定的优越性，但远达不到人们之前对它的预期，它对于SSD的性能提升并不明显，不免让人感到失望。实际上，新技术要发挥威力，还需要时间，就拿3D V-NAND来说吧，现有容量优势不明显，但保有随着技术进化，层叠层数增加增容的空间；目前价格贵，但会随着竞争加剧，投入回收后而降低；而随着接口和主控的进化，其性能优势也有望进一步发挥。

        尽管3D V-NAND技术也许在现阶段优势还不明显，但是解决了传统2D平面架构发展遭遇平静的问题。指望它一出生就改变行业是难于做到的，但随着技术进一步进化，时间将可能酝酿变革。