从原理上来看，产生极紫外光有3种方式，分别是同步辐射、电子放电产生等离子体、激光驱动产生等离子体，根据这三种原理，目前EUV光源有四种可能的实现模式——激光等离子体、同步辐射、超导加速-高功率自由电子激光器以及稳态微聚束，最近被大家所热议的正是最后一个：由清华大学工程物理系提出的稳态微聚束，也就是SSMB。     

和ASML EUV光刻机有什么不同呢？ASML的方案叫“锡滴轰击法”，过程简单来说就是：先熔化纯锡，然后将它们用特制的喷嘴喷出，形成每个锡滴直径严格控制为27微米的锡雾，接着用二氧化碳激光照射锡雾，像打靶一样把每一个锡滴都压成饼状，此时立马用另一束激光照射这个锡饼，锡饼就会开始发出波长10~100nm的光，接着用反射镜将锡饼发射的光反射出去，使用光学手段筛选出其中13.5nm的极紫外光，并投射到晶圆上，开始光刻。          

光刻厂的理论前景比较广阔

而SSMB光源就粗暴多了，它需要一个直线加速器，让电子束在其中以近光速的方式飞行，然后为它施加一个电磁场使其转向减速，此时电子束会损失一定的能量，并且这个能量会以电磁波的方式传出去，而我们知道光也是电磁波，所以想要得到怎样波长的光，就只需要控制电子束的能量就行。

所以光刻厂的方案最诱人的地方就在于它能获得高功率、高重频、窄带宽的相干辐射，别说波长13.5nm的极紫外线了，5nm波长的软X射线不在话下，而且功率最大可达4000W。

作为对比，ASML公司EUV光刻机所采用的锡滴轰击法功率也不过数百瓦。而且这个SSMB-EUV可以做成一个大环，上面有很多EUV光源束线，同时让好几个光刻机开工，在整个光刻厂的一切设备都围绕这个光源来设计。     

然而，原理上说SSMB是最具有潜力的方案，但目前仍有许多技术上的难点尚未攻克，比如环形光刻厂的电子束是反复绕圈跑，而目前SSMB装置还是直线加速，电子束是单次通过，这对稳定性又提出了极高的要求，而且目前的实验验证仅仅论证到了跑一圈能稳住，更多圈数更长时间都还没有论证，要知道光刻所需的光源稳定性都是以年为单位的。所以，在解决这个问题之前，说弯道超车还是为时尚早。   

其实在其他几种极紫外光技术路线上，我们也在不断努力演进，考虑到目前已研制出国产DUV，再加上我国在激光领域实力雄厚，造出EUV也只是时间问题。

目前最接近实用的就是和ASML相同的激光等离子体方案，在2017年完成原理验证，并在今年4月获得了《2023年度吉林省科学技术奖提名项目》多项大奖，按照学术界的惯例，能获奖就代表已经研制成功了，目前应该处于量产前的调试阶。    

提高激光光源强度是提高EUV光源功率的关键   

同时，根据公开资料显示，如果要用于3nm制程工艺，EUV光源功率要达到500W级别，1nm制程对EUV光源功率要达到1000W级别，所以我国科研人员采用了多束高功率光纤激光器进行替代，通过多光束同时打靶的方式，理论上可以获得1000W的EUV光源功率，这项研究也是广东省基础与应用基础研究基金的重大项目之一。       

综合来说，虽然目前在EUV领域我国输在起跑线上，但目前凭借多路并进的饱和式研发，初代EUV已经取得重大进展，也就在这两年应该就能看到商用落地，而其他技术路线，比如光刻厂，我国也已经取得重大进展或者已经开始建造，未来值得期待。