除CPU/GPU芯片、内存大小、屏幕、摄像头等影响手机整体性能的硬件规格外，去年二季度出现的华为闪存门事件更让小伙伴们对手机闪存规格的关注度直线提升，eMMC和UFS规格、性能更成为手机玩家讨论的焦点，而随着各技术类别的更新，2018年购买新手机时，恐怕需要在这块花费更多的精力了。

比UFS 2.1性能翻番的UFS 3.0真的来了

      过去的一年多时间里，不少手机厂商在推出重量级新品的时候，都会将UFS 2.1闪存作为宣传卖点，较高的读写速度的确让智能手机“流畅感”得到极大提升，而最新一代的UFS 3.0理论性能是UFS 2.1的一倍！

      1月底，固态技术协会（JEDEC）发布了Universal Flash Storage (UFS&UFSHCI，通用闪存存储) v3.0标准（JESD220D、JESD223D），和UFS存储卡v1.1标准（JESD220-2A）。

      简单来说，UFS 3.0引入了HS-G4规范，单通道带宽提升到11.6Gbps，是HS-G3（UFS 2.1）性能的2倍。由于UFS的最大优势就是双通道双向读写，所以接口带宽最高23.2Gbps，也就是2.9GB/s。

      实际上，在协会发布正式标准以及三星这类半导体厂商宣布UFS 3.0量产以前，外界已经传闻华为P11这样的新品极有可能采用UFS 3.0闪存颗粒，并用上了“比SSD还快”这样的句子来形容。

      的确，2.9GB/s的接口带宽已经可以媲美PC领域高端的NVMe SSD了，而且比早先群联电子披露的性能还要强上不少。当然，UFS 3.0控制器的面积、功耗和成本都会高于UFS 2.1 Gen2，但仍会明显低于UFS 2.0，未来会随着工艺技术的改进而不断优化。

      同时，需要注意的是由于骁龙845、Exynos 9810等尚无证据支持UFS 3.0接口，所以是否对应Galaxy S9终端或者仅仅是主控、闪存这类零部件，暂不得而知。

eMMC同样来到了5.2版

      当初华为P10“闪存门”同时牵扯出来的另一个闪存规格便是eMMC了，在UFS进入3.0版后，eMMC同样来到了5.2版。

      不过随着人们了解的深入，eMMC规格闪存在性能上的缺点也被大众认识，当然，由于成本、产业链等等关系，eMMC目前同样是智能手机、平板电脑的主流规格，eMMC 5.1闪存的连续读写速度则为250MB/s和125MB/s（理论最高400MB/s），UFS 2.1目前的最高可以达到1166MB/s。

然而，按照原有的计划，eMMC5.2定于今年Q4亮相，不过eMMC5.2也有被砍的可能，固态存储协会争议较大。

百家争鸣的手机闪存规格

      当我们了解到今年一定会出的UFS 3.0闪存和有可能出现的eMMC 5.2闪存后，再回头看看目前依旧占据着主流市场的UFS 2.1和eMMC5.1，甚至更早的eMMC4.4、eMMC4.5、eMMC5.0及LPDDR4时会发现，这对于选购筛选而言简直是噩梦……

      显然不能指望当新版的闪存颗粒登场时，旧版的闪存颗粒会在第一时间退市，多种规格闪存并存的问题短时间肯定不能解决，在价格的诱惑下，必然会有不少智能手机厂商宁愿选择低版本、低性能的闪存颗粒也不会花钱购买UFS 3.0以换取更强的性能体验。

      一般来说，eMMC5.1的速度会在200MB/s左右，UFS2.0则可以达到500MB/s左右，而UFS2.1的速度更是高达700+MB/s。单从数值上看，eMMC5.1和UFS2.1之间相差2倍之多。

      对于消费者而言，除了在购买手机以前详细查阅闪存相关规格信息外，更实际的恐怕还是软件测试了，对于想要辨别手机闪存规格的玩家，可以使用Androbench这款软件。

      Androbench的使用并不复杂，开启后，就可以看到有几个测试项目，最上面的是测试所有项目的按钮，一般我们只需要测试“Micro”就可以了。“Micro”项目会测试闪存的持续读写速度，以及随机读写速度，在“Setting”中，则能够设定测试的闪存分区（Target Partition）、测试用的文件块大小（File Size）、线程（Threads）等等参数。

通常这些都保持默认就可以，如果手机支持TF卡，则可以在“Target Partition”中选择TF卡或者内置储存来测试。

      通过观察结果数据，基本就能判断手机闪存的规格了，管他混搭不混搭，我们只认定数据就可以了，当然，想要手机不卡顿且比别人的更流畅，显然我们在2018年选购新手机的时候，应该更多看看它是不是UFS 3.0的。

值得关注的UFS阵营

      eMMC闪存基于并行数据传输技术打造，其内部存储单元与主控之间拥有8个数据通道，传输数据时8个通道同步工作，工作模式为半双工，也就是说每个通道都可以进行读写传输，但同一时刻只能执行读或者写的操作，与PC上已经淘汰的IDE接口硬盘很是相似。

      UFS闪存则是基于串行数据传输技术打造，其内部存储单元与主控之间虽然只有两个数据通道，但由于采用串行数据传输，其实际数据传输时速远超基于并行技术的eMMC闪存。此外UFS闪存支持的是全双工模式，所有数据通道均可以同时执行读写操作，在数据读写的响应速度上也要凌驾于eMMC闪存。

      仔细看完上面的基础介绍就应该非常清楚两者的区别了吧？尤其是目前UFS已经到3.0版本了，其速度更将远远领先于eMMC 5.1，如果非要用我们熟悉的产品来类比，那恐怕就是传统HDD机械硬盘同工业级SSD对比了吧！