10nm工艺 高通骁龙835处理器更多细节公布

      高通日前公布了新一代旗舰处理器骁龙835的更多细节，基本规格方面包括：10nm工艺，采用新一代Kryo 280 CPU，四大四小Big.Little八核心设计，Adreno 540 GPU，并首次集成X16 LTE基带，支持Cat.16下行/Cat.13上行。性能方面，四大核+四小核的设计并不罕见，但高通将其称之为“两个CPU丛集”：一个性能丛集、一个效率丛集。其中，前者主频提升到2.45GHz，二缓2MB，后者提升到1.9GHz，二缓1MB。按照高通的说法，应用载入、网页浏览、VR等会调用性能丛集，另外80%的时间都是效率丛集在工作。续航方面，全新的架构加上三星10nm Finfet工艺，骁龙835较骁龙820有了长足进步。同样在重度使用下，相比骁龙820，骁龙835能够提供额外的2.5小时的使用时间。此外，骁龙835还带来了最新的快充技术Quick Charge 4，充电五分钟，智能手机将能续航五小时以上，并且同时也可以兼容业界USB Type-C的快充标准。