超级计算正从千万亿次迈向百亿亿次时代，无论是系统架构、并性算法、异构加速、软件、还是功耗与管理各方面都面临巨大挑战，在这些挑战面前，新的变革不可避免，谁能抓住机遇实现变革，谁将在新的百亿亿次时代赢得胜利。中国的科学家们和企业正积极地迎战新的挑战，我们有理由相信，百亿亿次时代，中国也不会输给日本。

芯片制造：自主“心脏”的追赶
        IGBT（绝缘栅双极型晶体管)是目前发展最为迅速的新一代功率器件。它具有易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高的特点，广泛应用于轨道交通、航空航天、船舶驱动、智能电网、电力电子、新能源汽车等战略性产业领域，被业界誉为功率变流装置的CPU。 

        日本和欧美的厂商占据目前国内IGBT市场的主要份额，我国企业在芯片设计、芯片制造、模块封装以及单管封装等IGBT产品生产环节都有非常大的提升空间。

        IGBT产品针对不同的应用领域按阻断电压等级进行分类，其中6500V系列是目前市场应用中电压等级最高的产品，主要用于电网、高铁、工业变频等战略产业领域。目前世界上只有欧洲日本等极少数厂商拥有6500V的产品和技术，从器件结构设计到制造工艺，难点很多且难度较大，其中最主要难点之一就是如何使阻断电压达到6500V以上。

        2011年年底，中国科学院微电子研究所IGBT团队在IGBT 6500V系列超高压领域再次取得关键技术突破。由微电子所完全自主设计的6500V Trench FS IGBT（沟槽栅场截止型）产品，在株洲南车时代电气有限公司的支持下，完成了6500V IGBT芯片封装及测试。

        代表着我国自主IGBT芯片从设计到工艺的整体贯通又上了一个新的台阶。

        去年奠基开工的中国南车大功率IGBT产业化基地，将建成中国首条8英寸IGBT芯片生产线，意味着中国打破国外封锁，高铁拥有自主心脏的开端。

        南车株洲所总工程师冯江华称，大功率IGBT产业化基地的建设，将改变核心技术受制于人，产品依赖进口的不利局面，提升中国轨道交通等重大装备制造业的核心竞争力。南车也将借助这一项目占领技术制高点，实现中国南车“十二五”期间打造全球大功率半导体器件前三强目标。